中国历史历史上的今天历史上的02月17日

历史上的12月23日天津卫建立

作者:网友 来源:网络
导读:12月23日是公历一年中的第357天(闰年第358天),离全年结束还有8天。
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大事记
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12月23日是公历一年中的第357天(闰年第358天),离全年结束还有8天。

大事记

6世纪

558年:法兰克王国国王克洛泰尔一世加冕。

15世纪

1404年:明成祖朱棣赐名“天津”,即天子渡口之意,筑城设天津卫。

天津简称津,意为天子渡过的地方,别名津沽、津门等。天津始于隋朝大运河的开通。在南运河和北运河的交会处、现在的金钢桥三岔河口地方,史称“三会海口”,是天津最早的发祥地。唐中叶以后,天津成为南方粮、绸北运的水陆码头。金代在直沽设“直沽寨”,元朝设“海津镇”,是军事重镇和漕粮转运中心。
“卫”是明朝军事建制,由指挥使统领,直隶于后军都督府。每卫士兵足额5600人,天津三卫士兵定额16800人。
卫的建制虽没有行政职权,但有一定的土地(城堡及屯田)、数量较多的民众(屯田的军士及军属)和政事(军政及屯政)。随着人口增加,商业发展,事务繁多,词讼纠纷发生,卫所已不能治理这个军民混杂的商业化城市,明廷在天津陆续因事设官、设衙,建学,或将外地官、衙迁津理事。
明朝永乐二年,公元1404年到2004年,天津建城已有600周年。
1860年天津被辟为通商口岸后,西方列强纷纷在天津设立租界,天津成为中国北方开放的前沿和近代中国“洋务”运动的基地。由天津开始的军事近代化,以及铁路、电报、电话、邮政、采矿、近代教育、司法等方面建设,均开全国之先河,天津成为当时中国第二工商业城市和北方最大的金融商贸中心。
1949年新中国成立后,天津作为直辖市,经济建设和社会事业全面发展,进一步巩固了中国重要的综合性工业基地和商贸中心的地位。改革开放以来,天津的港口优势不断增强,对外交往进一步扩大。进入新世纪,天津已经成为现代化国际港口大都市和中国北方重要的经济中心城市。
自从明朝永乐二年,成祖亲传谕旨“筑城浚池,赐名天津”建卫至今,这座城市历经了六百余年的沉淀。十九世纪六十年代,天津作为通商口岸后,工商业金融业迅速发展,一时成为全国最大的金融商贸中心,在全球享有盛誉,“南上海,北天津”代表中国的一个时代..
与众多文化古城相比,这座年轻的城市正在以崭新的姿态,通过“天津速度”诠释着北方经济中心的诞生。

19世纪

1872年:李鸿章奏请清朝朝廷试办轮船招商局。
1888年:荷兰画家文森特·梵高用剃须刀割下自己左耳的一部分。

20世纪

1913年:美国国会通过了《联邦储备法》建立了联邦储备制度
1933年:法国一列行驶巴黎至斯特拉斯堡的火车在行驶至南锡车站撞向另一列火车,13列车卡撞至全毁,220人丧生[来源请求]。
1941年:中国抗日战争:第三次长沙会战开始。
1947年:美国物理学家肖克利、巴丁和布喇顿在新泽西州的贝尔实验室公开了他们发明的晶体管。
晶体管
晶体管

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2016年,劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限,将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm,完成了计算技术界的一大突破。
1947年12月,美国贝尔实验室的肖克利、巴丁和布拉顿组成的研究小组,研制出一种点接触型的锗晶体管。晶体管的问世,是20世纪的一项重大发明,是微电子革命的先声。晶体管出现后,人们就能用一个小巧的、消耗功率低的电子器件,来代替体积大、功率消耗大的电子管了。晶体管的发明又为后来集成电路的诞生吹响了号角。
20世纪最初的10年,通信系统已开始应用半导体材料。20世纪上半叶,在无线电爱好者中广泛流行的矿石收音机,就采用矿石这种半导体材料进行检波。半导体的电学特性也在电话系统中得到了应用。
晶体管的发明,最早可以追溯到1929年,当时工程师利莲费尔德就已经取得一种晶体管的专利。但是,限于当时的技术水平,制造这种器件的材料达不到足够的纯度,而使这种晶体管无法制造出来。
由于电子管处理高频信号的效果不理想,人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里,有一根与矿石(半导体)表面相接触的金属丝(像头发一样细且能形成检波接点),它既能让信号电流沿一个方向流动,又能阻止信号电流朝相反方向流动。在第二世界大战爆发前夕,贝尔实验室在寻找比早期使用的方铅矿晶体性能更好的检波材料时,发现掺有某种极微量杂质的锗晶体的性能不仅优于矿石晶体,而且在某些方面比电子管整流器还要好。
第二世界大战期间,不少实验室在有关硅和锗材料的制造和理论研究方面,也取得了不少成绩,这就为晶体管的发明奠定了基础。
为了克服电子管的局限性,第二世界大战结束后,贝尔实验室加紧了对固体电子器件的基础研究肖克莱等人决定集中研究硅、锗等半导体材料,探讨用半导体材料制作放大器件的可能性。
1945年秋天,贝尔实验室成立了以肖克莱为首的半导体研究小组,成员有布拉顿、巴丁等人。布拉顿早在1929年就开始在这个实验室工作,长期从事半导体的研究,积累了丰富的经验。他们经过一系列的实验和观察,逐步认识到半导体中电流放大效应产生的原因。布拉顿发现,在锗片的底面接上电极,在另一面插上细针并通上电流,然后让另一根细针尽量靠近它,并通上微弱的电流,这样就会使原来的电流产生很大的变化。微弱电流少量的变化,会对另外的电流产生很大的影响,这就是“放大”作用。
布拉顿等人,还想出有效的办法,来实现这种放大效应。他们在发射极和基极之间输入一个弱信号,在集电极和基极之间的输出端,就放大为一个强信号了。在现代电子产品中,上述晶体三极管的放大效应得到广泛的应用。
巴丁和布拉顿最初制成的固体器件的放大倍数为50左右。不久之后,他们利用两个靠得很近(相距0.05毫米)的触须接点,来代替金箔接点,制造了“点接触型晶体管”。1947年12月,这个世界上最早的实用半导体器件终于问世了,在首次试验时,它能把音频信号放大100倍,它的外形比火柴棍短,但要粗一些。
在为这种器件命名时,布拉顿想到它的电阻变换特性,即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的,于是取名为trans-resistor(转换电阻),后来缩写为transistor,中文译名就是晶体管。
由于点接触型晶体管制造工艺复杂,致使许多产品出现故障,它还存在噪声大、在功率大时难于控制、适用范围窄等缺点。为了克服这些缺点,肖克莱提出了用一种“整流结”来代替金属半导体接点的大胆设想。半导体研究小组又提出了这种半导体器件的工作原理。
1950年,第一只“PN结型晶体管”问世了,它的性能与肖克莱原来设想的完全一致。今天的晶体管,大部分仍是这种PN结型晶体管。(所谓PN结就是P型和N型的结合处。P型多空穴。N型多电子。)
1956年肖克利、巴丁、布拉顿三人,因发明晶体管同时荣获诺贝尔物理学奖
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